Microchip APT10078BLLG

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

底架

通孔

供应商器件包装

TO-247 [B]

Continuous Drain Current Id

14

Package

Tube

Base Product Number

APT10078

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

14A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

403W (Tc)

Product Status

活跃

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

1 kV

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

30 ns

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

1 kV

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

5 V

Pd - Power Dissipation

403 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Mounting Styles

通孔

Channel Mode

Enhancement

Qg - Gate Charge

95 nC

Rds On - Drain-Source Resistance

780 mOhms

Id - Continuous Drain Current

14 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

POWER MOS 7®

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

403 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

额定电流

14 A

通道数量

1 Channel

功率耗散

403

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

780mOhm @ 7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2525 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

95 nC @ 10 V

上升时间

8 ns

漏源电压 (Vdss)

1000 V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

14 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

输入电容

2.525 nF

信道型

N

场效应管特性

-

最大rds

780 mΩ

辐射硬化

无

无铅

无铅