Microchip APT10M07JVFR

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

底座安装

包装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

底架

Chassis Mount, Screw

引脚数

4

供应商器件包装

ISOTOP®

Continuous Drain Current Id

225

Package

Tube

Base Product Number

APT10M07

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

225A (Tc)

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

100 V

Typical Turn-On Delay Time

25 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

2 V

Pd - Power Dissipation

700 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

30 V

Unit Weight

1.058219 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

螺钉安装

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

Rds On - Drain-Source Resistance

7 mOhms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

80 ns

Id - Continuous Drain Current

225 A

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

100 V

Turn Off Delay Time

80 ns

系列

POWER MOS V®

包装

Tube

类型

MOSFET

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

Discrete Semiconductor Modules

最大功率耗散

700 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

额定电流

225 A

工作电源电压

0.5 V

配置

Single

功率耗散

700

接通延迟时间

25 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

7mOhm @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

21600 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1050 nC @ 10 V

上升时间

60 ns

漏源电压 (Vdss)

100 V

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

连续放电电流(ID)

225 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

输入电容

21.6 nF

信道型

N

场效应管特性

-

最大rds

7 mΩ

产品

功率MOSFET模块

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

辐射硬化

无

无铅

无铅