Microchip APT10M11JVRU3

安装类型

底座安装

包装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

表面安装

NO

供应商器件包装

SOT-227

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Continuous Drain Current Id

142

Package

Bulk

Base Product Number

APT10M11

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

142A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

450W (Tc)

Product Status

活跃

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

100 V

Typical Turn-On Delay Time

16 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

2 V

Pd - Power Dissipation

450 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Unit Weight

1.058219 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

螺钉安装

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

Tradename

POWER MOS V, ISOTOP

Rds On - Drain-Source Resistance

11 mOhms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

51 ns

Id - Continuous Drain Current

142 A

Package Description

ROHS COMPLIANT, ISOTPO-4

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

ISOTOP

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT10M11JVRU3

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.68

Part Package Code

ISOTOP

Drain Current-Max (ID)

142 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

包装

Tube

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

功率MOSFET

附加功能

雪崩 额定

子类别

Discrete Semiconductor Modules

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PUFM-X4

资历状况

不合格

配置

Single

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

11mOhm @ 71A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

8600 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

300 nC @ 10 V

上升时间

48 ns

漏源电压 (Vdss)

100 V

Vgs（最大值）

±30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

最大漏极电流 (Abs) (ID)

142 A

漏极-源极导通最大电阻

0.011 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

576 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

2500 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

450 W

场效应管特性

-

产品

功率MOSFET模块

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

宽度

25.4 mm

高度

9.6 mm

长度

38.2 mm