Microchip APT10M19BVFRG

底架

Surface Mount, Through Hole

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

100 V

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

50 ns

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT10M19BVFRG

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.32

Part Package Code

TO-247AD

Drain Current-Max (ID)

75 A

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

雪崩 额定

最大功率耗散

370 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

75 A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

370 W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

16 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

40 ns

漏源电压 (Vdss)

100 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

75 A

JEDEC-95代码

TO-247AD

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

漏极-源极导通最大电阻

0.019 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

300 A

输入电容

6.12 nF

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

1500 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大rds

19 mΩ

辐射硬化

无

无铅

无铅