APT17N80BC3G详情
Microchip APT17N80BC3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
0402 (1005 Metric)
表面安装
NO
供应商器件包装
0402
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
Base Product Number
RN73R1E
厂商
KOA Speer Electronics, Inc.
Product Status
活跃
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
APT17N80BC3G
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Microsemi Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
5.66
Part Package Code
TO-247
Drain Current-Max (ID)
17 A
操作温度
-55°C ~ 155°C
系列
RN73R
尺寸/尺寸
0.039 L x 0.020 W (1.00mm x 0.50mm)
容差
±1%
JESD-609代码
e1
无铅代码
有
终止次数
2
温度系数
±50ppm/°C
电阻
221 kOhms
端子表面处理
锡银铜
组成
Thin Film
功率(瓦特)
0.063W, 1/16W
附加功能
雪崩 额定
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
失败率
-
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-247
漏极-源极导通最大电阻
0.29 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
51 A
DS 击穿电压-最小值
800 V
雪崩能量等级(Eas)
670 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
特征
Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant
座位高度(最大)
0.016 (0.40mm)
评级结果
AEC-Q200
APT17N80BC3G拓展信息
Microchip Technology
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