APT17N80BC3G
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Microchip APT17N80BC3G

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型号

APT17N80BC3G

品牌

Microchip

utmel 编号

1610-APT17N80BC3G

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

0402 (1005 Metric)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3

起订量

1最小包装量--

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APT17N80BC3G
APT17N80BC3G Microchip MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3

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APT17N80BC3G详情

Microchip APT17N80BC3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    0402 (1005 Metric)

  • 表面安装

    NO

  • 供应商器件包装

    0402

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package

    Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

  • Base Product Number

    RN73R1E

  • 厂商

    KOA Speer Electronics, Inc.

  • Product Status

    活跃

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    APT17N80BC3G

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Microsemi Corporation

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    MICROSEMI CORP

  • Risk Rank

    5.66

  • Part Package Code

    TO-247

  • Drain Current-Max (ID)

    17 A

  • 操作温度

    -55°C ~ 155°C

  • 系列

    RN73R

  • 尺寸/尺寸

    0.039 L x 0.020 W (1.00mm x 0.50mm)

  • 容差

    ±1%

  • JESD-609代码

    e1

  • 无铅代码

  • 终止次数

    2

  • 温度系数

    ±50ppm/°C

  • 电阻

    221 kOhms

  • 端子表面处理

    锡银铜

  • 组成

    Thin Film

  • 功率(瓦特)

    0.063W, 1/16W

  • 附加功能

    雪崩 额定

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 失败率

    -

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-247

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.29 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    51 A

  • DS 击穿电压-最小值

    800 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    670 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 特征

    Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant

  • 座位高度(最大)

    0.016 (0.40mm)

  • 评级结果

    AEC-Q200

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