Microchip APT19M120J

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

底架

Chassis Mount, Screw

引脚数

4

供应商器件包装

ISOTOP®

Package

Bulk

厂商

Suntsu Electronics, Inc.

Product Status

活跃

Base Product Number

APT19M120

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

19A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

545W (Tc)

Schedule B

8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

1.2 kV

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

170 ns

操作温度

-40°C ~ 85°C

系列

SXT324

尺寸/尺寸

0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)

类型

兆赫晶体

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

545 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

额定电流

19 A

频率

28.63636 MHz

频率稳定性

±50ppm

ESR（等效串联电阻）

50 Ohms

负载电容

19pF

操作模式

Fundamental

功率耗散

545 W

频率容差

±20ppm

接通延迟时间

50 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

530mOhm @ 14A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9670 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

300 nC @ 10 V

上升时间

31 ns

漏源电压 (Vdss)

1200 V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

19 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

输入电容

9.67 nF

场效应管特性

-

最大rds

530 mΩ

座位高度(最大)

0.031 (0.80mm)

辐射硬化

无

无铅

无铅

评级结果

-