Microchip APT20M20JLL

安装类型

底座安装

包装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

表面安装

NO

供应商器件包装

ISOTOP®

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

厂商

PEI-Genesis

Product Status

活跃

Base Product Number

APT20M20

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

104A (Tc)

Package Description

ISOTOP-4

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

ISOTOP

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT20M20JLL

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.12

Part Package Code

ISOTOP

Drain Current-Max (ID)

104 A

系列

*

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

UL 认证

子类别

FET 通用电源

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PUFM-X4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

20mOhm @ 52A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6850 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

110 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

200 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

106 A

漏极-源极导通最大电阻

0.02 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

416 A

DS 击穿电压-最小值

200 V

雪崩能量等级（Eas）

2500 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

480 W

场效应管特性

-