Microchip APT20M22LVFRG

安装类型

表面贴装

包装/外壳

896-BBGA, FCBGA

供应商器件包装

896-FBGA (31x31)

Number of I/Os

384

Continuous Drain Current Id

100

Package

Tube

Base Product Number

APT20M22

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

520W (Tc)

Product Status

活跃

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

200 V

Typical Turn-On Delay Time

16 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

4 V

Pd - Power Dissipation

520 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Unit Weight

0.352740 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Channel Mode

Enhancement

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip Technology / Atmel

Qg - Gate Charge

435 nC

Tradename

功率 MOS V

Rds On - Drain-Source Resistance

22 mOhms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

48 ns

Id - Continuous Drain Current

100 A

操作温度

-40°C ~ 100°C (TJ)

系列

Arria V GX

包装

Tube

零件状态

活跃

子类别

MOSFETs

技术

MOSFET (Metal Oxide)

电压 - 供电

1.12 V ~ 1.18 V

基本部件号

5AGXMA7

配置

Single

通道数量

1 Channel

功率耗散

520

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

22mOhm @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

10200 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

435 nC @ 10 V

上升时间

25 ns

漏源电压 (Vdss)

200 V

Vgs（最大值）

±30V

逻辑元件/单元数

242000

产品类别

MOSFET

总 RAM 位数

15470592

LABs数量/ CLBs数量

11460

信道型

N

场效应管特性

-

产品类别

MOSFET

宽度

20.5 mm

高度

5.21 mm

长度

26.49 mm