Microchip APT22F120L

触点镀层

Tin

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

安装类型

通孔

供应商器件包装

TO-264 [L]

Voltage Rating (DC)

400 V

RoHS

Compliant

Voltage, Rating

400 V

Continuous Drain Current Id

23

Product Status

活跃

Power Dissipation (Max)

1040W (Tc)

厂商

微芯片技术

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

23A (Tc)

Base Product Number

APT22F120

Package

Tube

包装

Tape & Reel

系列

POWER MOS 8™

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

容差

1 %

温度系数

100 ppm/°C

电阻

4.99 MΩ

最高工作温度

155 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

厚膜

额定功率

750 mW

技术

MOSFET (Metal Oxide)

箱码（公制）

2010

功率耗散

1.04

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

700mOhm @ 12A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

8370 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

260 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

1200 V

Vgs（最大值）

±30V

信道型

N

场效应管特性

-

长度

5 mm

高度

600 µm

宽度

2.5 mm

辐射硬化

无

无铅

无铅