Microchip APT23F60B

安装类型

通孔

包装/外壳

3AB, 3AG, 1/4 x 1-1/4 (Axial)

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-247 [B]

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Lead Free Status / RoHS Status

--

Approvals

CE, CSA, cULus

Voltage Rating AC

250V

Continuous Drain Current Id

24

Package

Tube

Base Product Number

APT23F60

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

24A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

415W (Tc)

Product Status

活跃

Package Description

TO-247, 3 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT23F60B

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.36

Part Package Code

TO-247AD

Drain Current-Max (ID)

24 A

操作温度

-55°C ~ 125°C

系列

3AP

包装

Bulk

尺寸/尺寸

0.272 Dia x 1.280 L (6.90mm x 32.50mm)

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

颜色

--

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

1A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

415

箱体转运

DRAIN

回应时间

Fast

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

290mOhm @ 11A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 1mA

保险丝类型

Cartridge, Glass

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4415 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

110 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

600 V

Vgs（最大值）

±30V

分断能力@额定电压

200A

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-247AD

直流抗寒性

0.16 Ohms

漏极-源极导通最大电阻

0.29 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

80 A

DS 击穿电压-最小值

600 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

615 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-