Microchip APT24M120B2

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

表面安装

NO

供应商器件包装

T-MAX™ [B2]

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

厂商

Suntsu Electronics, Inc.

Product Status

活跃

Base Product Number

APT24M120

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

24A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

1040W (Tc)

Package Description

ROHS COMPLIANT, T-MAX, 3 PIN

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT24M120B2

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

2.25

Drain Current-Max (ID)

24 A

操作温度

-10°C ~ 60°C

系列

SXT224

尺寸/尺寸

0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

类型

兆赫晶体

端子表面处理

纯哑光锡

附加功能

雪崩 额定

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

频率

12.288 MHz

频率稳定性

±30ppm

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

ESR（等效串联电阻）

120 Ohms

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

负载电容

21pF

操作模式

Fundamental

箱体转运

DRAIN

频率容差

±25ppm

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

630mOhm @ 12A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

8370 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

260 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

1200 V

Vgs（最大值）

±30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.63 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

90 A

DS 击穿电压-最小值

1200 V

雪崩能量等级（Eas）

1875 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

座位高度(最大)

0.026 (0.65mm)

评级结果

-