Microchip APT29F80J

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

底座安装

包装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

底架

Chassis Mount, Screw

引脚数

4

供应商器件包装

ISOTOP®

Manufacturer Part Number

301720

Manufacturer

PILZ

Package

Tube

Base Product Number

APT29F80

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

31A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

543W (Tc)

Product Status

活跃

Id - Continuous Drain Current

31 A

Typical Turn-Off Delay Time

231 ns

RoHS

Details

Rds On - Drain-Source Resistance

210 mOhms

Brand

微芯片技术

Mounting Styles

底座安装

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Unit Weight

1.058219 oz

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Transistor Polarity

N-Channel

Pd - Power Dissipation

543 W

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

2.5 V

Typical Turn-On Delay Time

53 ns

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

800 V

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

800 V

Turn Off Delay Time

231 ns

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

POWER MOS 8™

包装

Tube

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

Discrete Semiconductor Modules

最大功率耗散

543 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

额定电流

29 A

配置

Single

通道数量

1 Channel

接通延迟时间

53 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

210mOhm @ 24A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9326 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

303 nC @ 10 V

上升时间

76 ns

漏源电压 (Vdss)

800 V

Vgs（最大值）

±30V

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

连续放电电流(ID)

31 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

输入电容

9.326 nF

场效应管特性

-

最大rds

210 mΩ

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

辐射硬化

无

无铅

无铅