Microchip APT30F60J

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

底座安装

包装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

底架

Chassis Mount, Screw

表面安装

NO

引脚数

4

供应商器件包装

ISOTOP®

质量

30.000004 g

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tube

Base Product Number

APT30F60

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

31A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

355W (Tc)

Product Status

活跃

Schedule B

8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

145 ns

Package Description

ISOTOP-4

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

UNSPECIFIED

Manufacturer Package Code

ISOTOP

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT30F60J

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.52

Part Package Code

ISOTOP

Drain Current-Max (ID)

31 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

POWER MOS 8™

无铅代码

有

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED

最大功率耗散

355 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

4

JESD-30代码

R-XUFM-X4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

355 W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

48 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

150mOhm @ 21A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

8590 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

215 nC @ 10 V

上升时间

55 ns

漏源电压 (Vdss)

600 V

Vgs（最大值）

±30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

31 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

漏极-源极导通最大电阻

0.15 Ω

漏源击穿电压

600 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

160 A

输入电容

8.59 nF

DS 击穿电压-最小值

600 V

雪崩能量等级（Eas）

1200 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

漏源电阻

120 mΩ

最大rds

150 mΩ

宽度

25.4 mm

高度

9.6 mm

长度

38.2 mm

辐射硬化

无