Microchip APT30M19JVFR

包装/外壳

1206 (3216 Metric)

安装类型

底座安装

表面安装

NO

供应商器件包装

1206

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tape & Reel (TR)

Base Product Number

RN732B

厂商

KOA Speer Electronics, Inc.

Product Status

Obsolete

Continuous Drain Current Id

130

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

130A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

700W (Tc)

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

300 V

Typical Turn-On Delay Time

22 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

2 V

Pd - Power Dissipation

700 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Unit Weight

1.058219 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

底座安装

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

Rds On - Drain-Source Resistance

19 mOhms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

70 ns

Id - Continuous Drain Current

130 A

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

ISOTOP

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Drain Current-Max (ID)

130 A

Part Package Code

ISOTOP

Risk Rank

1.65

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Life Cycle Code

活跃

Number of Elements

1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer Part Number

APT30M19JVFR

Rohs Code

有

Operating Temperature-Max

150 °C

操作温度

-55°C ~ 155°C

系列

RN73

包装

Tube

尺寸/尺寸

0.126 L x 0.063 W (3.20mm x 1.60mm)

容差

±0.5%

无铅代码

有

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

温度系数

±25ppm/°C

电阻

20.5 Ohms

组成

Thin Film

功率(瓦特)

0.125W, 1/8W

附加功能

FREDFET

子类别

Discrete Semiconductor Modules

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PUFM-X4

资历状况

不合格

配置

Single

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

700

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

19mOhm @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

21600 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

975 nC @ 10 V

上升时间

33 ns

漏源电压 (Vdss)

300 V

Vgs（最大值）

±30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

漏极-源极导通最大电阻

0.019 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

520 A

DS 击穿电压-最小值

300 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

3600 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

特征

Moisture Resistant

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

座位高度(最大)

0.028 (0.70mm)