Microchip APT30M40JVFR

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

Axial

安装类型

底座安装

底架

Chassis Mount, Screw

引脚数

4

供应商器件包装

Axial

Package

Tube

Base Product Number

APT30M40

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

70A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

450W (Tc)

Product Status

活跃

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

300 V

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

48 ns

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

300 V

Typical Turn-On Delay Time

16 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

2 V

Pd - Power Dissipation

450 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Unit Weight

1.058219 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

螺钉安装

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

Rds On - Drain-Source Resistance

40 mOhms

Typical Turn-Off Delay Time

48 ns

Id - Continuous Drain Current

70 A

操作温度

-65°C ~ 175°C

系列

Military, MIL-R-10509/2, RN65

包装

Bulk

尺寸/尺寸

0.180 Dia x 0.562 L (4.57mm x 14.27mm)

容差

±1%

零件状态

活跃

终止次数

2

温度系数

±100ppm/°C

类型

功率MOSFET

电阻

71.5 kOhms

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Metal Film

功率(瓦特)

0.5W, 1/2W

子类别

Discrete Semiconductor Modules

最大功率耗散

450 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

额定电流

70 A

失败率

--

配置

Single

通道数量

1 Channel

功率耗散

450 W

接通延迟时间

16 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

40mOhm @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

10200 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

425 nC @ 10 V

上升时间

20 ns

漏源电压 (Vdss)

300 V

Vgs（最大值）

±30V

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

连续放电电流(ID)

70 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

输入电容

10.2 nF

场效应管特性

-

最大rds

40 mΩ

产品

功率MOSFET模块

特征

Flame Retardant Coating, Military, Moisture Resistant, Safety

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

座位高度(最大)

--

无铅

无铅