Microchip APT31M100B2

安装类型

面板安装

包装/外壳

TO-247-3 Variant

表面安装

NO

供应商器件包装

T-MAX™ [B2]

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Voltage Rating DC

28V

Contact Materials

银合金

Voltage Rating AC

115V

Continuous Drain Current Id

32

Package

Tube

Base Product Number

APT31M100

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

32A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

1040W (Tc)

Product Status

活跃

Package Description

ROHS COMPLIANT, TMAX-3

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT31M100B2

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.32

Drain Current-Max (ID)

32 A

系列

44

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

定位的数量

4

端子表面处理

Pure Matte Tin (Sn)

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

5A (AC), 1A (DC)

引脚数量

3

触点表面处理

--

终端样式

焊片

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

执行器类型

Flatted (6.35mm Dia)

面板开孔尺寸

--

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.04

箱体转运

DRAIN

甲板数量

1

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

380mOhm @ 16A, 10V

操作力

5.761 ~ 83gfm

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

8500 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

260 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

1000 V

Vgs（最大值）

±30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

触点定时

Non-Shorting (BBM)

漏极-源极导通最大电阻

0.38 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

120 A

索引停止

固定式

每层电路

SP4T

面板后深度

26.04mm

DS 击穿电压-最小值

1000 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

1875 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

每个甲板的杆数

1

投掷角度

45°

场效应管特性

-

特征

--

执行器长度

11.10mm