Microchip APT33N90JCU3

安装类型

底座安装

包装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

底架

Chassis Mount, Screw

引脚数

4

供应商器件包装

SOT-227

Package

Tray

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

33A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

290W (Tc)

Product Status

Obsolete

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Vr - Reverse Voltage

1200 V

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

900 V

Typical Turn-On Delay Time

70 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

3.5 V

Pd - Power Dissipation

290 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Unit Weight

1 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

螺钉安装

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

Rds On - Drain-Source Resistance

120 mOhms

Typical Turn-Off Delay Time

400 ns

Id - Continuous Drain Current

33 A

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

包装

Tube

类型

功率MOSFET

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-40 °C

子类别

Discrete Semiconductor Modules

最大功率耗散

290 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

功率耗散

290 W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

120mOhm @ 26A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 3mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6800 pF @ 100 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

270 nC @ 10 V

上升时间

20 ns

漏源电压 (Vdss)

900 V

Vgs（最大值）

±20V

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

连续放电电流(ID)

33 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

输入电容

6.8 nF

场效应管特性

-

最大rds

120 mΩ

产品

功率MOSFET模块

Vf-正向电压

3.1 V

产品类别

Discrete Semiconductor Modules