Microchip APT34M120J

安装类型

底座安装

包装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

表面安装

NO

供应商器件包装

SOT-227

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Voltage, Rating

150 V

Continuous Drain Current Id

35

Package

Tube

Base Product Number

APT34M120

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

35A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

960W (Tc)

Product Status

活跃

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

1.2 kV

Typical Turn-On Delay Time

100 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

3 V

Pd - Power Dissipation

960 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Unit Weight

1.058219 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

螺钉安装

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

Tradename

POWER MOS 8, ISOTOP

Rds On - Drain-Source Resistance

240 mOhms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

315 ns

Id - Continuous Drain Current

35 A

Package Description

ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

UNSPECIFIED

Manufacturer Package Code

ISOTOP

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT34M120J

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.74

Part Package Code

ISOTOP

Drain Current-Max (ID)

35 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

包装

Tube

容差

0.25 %

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

温度系数

50 ppm/°C

类型

MOSFET

电阻

30 kΩ

最高工作温度

155 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Thin Film

附加功能

AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED

子类别

Discrete Semiconductor Modules

额定功率

250 mW

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

4

JESD-30代码

R-XUFM-X4

资历状况

不合格

配置

Single

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

960

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

300mOhm @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

18200 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

560 nC @ 10 V

上升时间

60 ns

漏源电压 (Vdss)

1200 V

Vgs（最大值）

±30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

漏极-源极导通最大电阻

0.29 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

195 A

DS 击穿电压-最小值

1200 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

2700 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

产品

功率MOSFET模块

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

高度

650 µm

宽度

25.4 mm

长度

38.2 mm