Microchip APT41M80B2

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3 Variant

表面安装

NO

供应商器件包装

T-MAX™ [B2]

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

WTB60-XPC-F-A

Manufacturer

Eaton Benches By Wright Line

Package

Tube

Base Product Number

APT41M80

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

43A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

1040W (Tc)

Product Status

活跃

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Brand

微芯片技术

RoHS

Details

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.35

Part Package Code

TO-247AD

Drain Current-Max (ID)

43 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

POWER MOS 8™

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

纯哑光锡

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY

子类别

Discrete Semiconductor Modules

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

210mOhm @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

8070 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

260 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

800 V

Vgs（最大值）

±30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

JEDEC-95代码

TO-247AD

漏极-源极导通最大电阻

0.21 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

150 A

DS 击穿电压-最小值

800 V

雪崩能量等级（Eas）

1710 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

产品

功率MOSFET模块

产品类别

Discrete Semiconductor Modules