APT47F60J
APT47F60J

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Microchip APT47F60J

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型号

APT47F60J

品牌

Microchip

utmel 编号

1610-APT47F60J

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

SOT-227-4, miniBLOC

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 600V 49A ISOTOP

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APT47F60J
APT47F60J Microchip MOSFET N-CH 600V 49A ISOTOP

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APT47F60J详情

Microchip APT47F60J重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    Production (Last Updated: 2 months ago)

  • 安装类型

    面板安装

  • 包装/外壳

    SOT-227-4, miniBLOC

  • 底架

    Chassis Mount, Screw

  • 越来越多的功能

    Flange

  • 引脚数

    4

  • 触点形状

    Circular

  • 外壳材料

    Aluminum

  • 供应商器件包装

    ISOTOP®

  • 插入材料

    --

  • Lead Free Status / RoHS Status

    --

  • Contact Sizes

    16

  • Package

    Tube

  • Base Product Number

    APT47F60

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    49A (Tc)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • 厂商

    微芯片技术

  • Power Dissipation (Max)

    540W (Tc)

  • Product Status

    活跃

  • Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

    600 V

  • Typical Turn-On Delay Time

    75 ns

  • Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

    2.5 V

  • Pd - Power Dissipation

    540 W

  • Transistor Polarity

    N-Channel

  • Maximum Operating Temperature

    + 150 C

  • Vgs - Gate-Source Voltage

    - 30 V, + 30 V

  • Unit Weight

    1.058219 oz

  • Minimum Operating Temperature

    - 55 C

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    1

  • Mounting Styles

    螺钉安装

  • Manufacturer

    Microchip

  • Brand

    微芯片技术

  • Rds On - Drain-Source Resistance

    75 mOhms

  • RoHS

    Details

  • Typical Turn-Off Delay Time

    225 ns

  • Id - Continuous Drain Current

    49 A

  • Number of Elements

    1

  • Turn Off Delay Time

    225 ns

  • 操作温度

    -65°C ~ 175°C

  • 系列

    MIL-DTL-38999 Series III, Tri-Start™ TV

  • 包装

    Bulk

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    --

  • 连接器类型

    插座外壳

  • 类型

    用于公引脚

  • 定位的数量

    8

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 紧固类型

    Threaded

  • 子类别

    Discrete Semiconductor Modules

  • 触点类型

    Crimp

  • 最大功率耗散

    540 W

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 方向

    B

  • 屏蔽/屏蔽

    Unshielded

  • 入口保护

    抗环境干扰

  • 外壳完成

    锌 镍

  • 外壳尺寸-插入

    17-8

  • 房屋颜色

    Black

  • 配置

    Single

  • 注意

    不包括触点

  • 通道数量

    1 Channel

  • 功率耗散

    540 W

  • 外壳尺寸,MIL

    --

  • 接通延迟时间

    75 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    90mOhm @ 33A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    5V @ 2.5mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    13190 pF @ 25 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    330 nC @ 10 V

  • 上升时间

    85 ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    600 V

  • Vgs(最大值)

    ±30V

  • 产品类别

    Discrete Semiconductor Modules

  • 连续放电电流(ID)

    49 A

  • 包括

    --

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    30 V

  • 输入电容

    13.19 nF

  • 场效应管特性

    -

  • 最大rds

    90 mΩ

  • 产品

    功率MOSFET模块

  • 特征

    --

  • 产品类别

    Discrete Semiconductor Modules

  • 材料可燃性等级

    --

  • 辐射硬化

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