Microchip APT5010LLLG

生命周期状态

Production (Last Updated: 1 month ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

引脚数

3

供应商器件包装

TO-264 [L]

Voltage, Rating

100 V

Continuous Drain Current Id

46

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

500 V

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

25 ns

Package

Tube

Base Product Number

APT5010

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

46A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

520W (Tc)

Product Status

活跃

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

POWER MOS 7®

包装

Tube

容差

0.5 %

温度系数

100 ppm/°C

电阻

6.57 Ω

最高工作温度

155 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Thin Film

子类别

Discrete Semiconductor Modules

额定功率

125 mW

最大功率耗散

520 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

额定电流

46 A

功率耗散

520

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

100mOhm @ 23A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4360 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

95 nC @ 10 V

上升时间

15 ns

漏源电压 (Vdss)

500 V

Vgs（最大值）

±30V

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

连续放电电流(ID)

46 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

输入电容

4.36 nF

信道型

N

场效应管特性

-

最大rds

100 mΩ

产品

功率MOSFET模块

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

高度

650 µm

辐射硬化

无

无铅

无铅