Microchip APT5016BFLLG

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)

底架

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

8-MSOP

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Frequency-Max

120MHz

Continuous Drain Current Id

30

Product Status

活跃

Power Dissipation (Max)

329W (Tc)

厂商

微芯片技术

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

30A (Tc)

Base Product Number

APT5016

Package

Tube

Schedule B

8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

500 V

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

27 ns

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT5016BFLLG

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.31

Part Package Code

TO-247AD

Drain Current-Max (ID)

30 A

操作温度

-40°C ~ 85°C

系列

--

包装

Tray

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

零件状态

Obsolete

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

329 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

电压 - 供电

1.7 V ~ 3.63 V

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

额定电流

30 A

基本部件号

IDT5P50914

输出量

Clock

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

电路数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

329

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

160mOhm @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2833 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

72 nC @ 10 V

上升时间

10 ns

漏源电压 (Vdss)

500 V

Vgs（最大值）

±30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Crystal

连续放电电流(ID)

30 A

比率-输入：输出

1:1

JEDEC-95代码

TO-247AD

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

锁相环

有

差分 - 输入：输出

No/No

漏极-源极导通最大电阻

0.16 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

120 A

输入电容

2.833 nF

DS 击穿电压-最小值

500 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

1300 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

除法器/乘法器

No/No

场效应管特性

-

最大rds

160 mΩ

辐射硬化

无

无铅

无铅