Microchip APT5020BN

触点镀层

Gold

底架

Flanges, Panel

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-247AD

本体材质

Aluminium

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Package

Tube

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

28A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

360W (Tc)

Product Status

Obsolete

Schedule B

8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

APT5020BN

Turn-on Time-Max (ton)

124 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC

Turn-off Time-Max (toff)

237 ns

Risk Rank

8.6

Drain Current-Max (ID)

28 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

POWER MOS IV®

JESD-609代码

e0

终端

Crimp

连接器类型

Circular, Receptacle

定位的数量

61

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

性别

Receptacle

紧固类型

Threaded

子类别

FET 通用电源

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

接头数量

61

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

200mOhm @ 14A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3500 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

210 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

500 V

Vgs（最大值）

±30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-247AD

最大漏极电流 (Abs) (ID)

28 A

漏极-源极导通最大电阻

0.2 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

112 A

DS 击穿电压-最小值

500 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

360 W

场效应管特性

-

反馈上限-最大值 (Crss)

350 pF

环境耗散-最大值

360 W

特征

Shielded

达到SVHC

Unknown

评级结果

抗环境干扰