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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥219.983021
10
¥207.531155
100
¥195.784104
500
¥184.701985
1000
¥174.247162
APT50M65LLLG详情
Microchip APT50M65LLLG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-264-3, TO-264AA
底架
通孔
供应商器件包装
TO-264 [L]
Manufacturer Part Number
ARNI-3087A-C07-TOSH
Manufacturer
Toshiba
Package
Tube
Base Product Number
APT50M65
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
67A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
厂商
微芯片技术
Power Dissipation (Max)
694W (Tc)
Product Status
活跃
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Number of Elements
1
Voltage Rating (DC)
500 V
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
29 ns
Mounting Styles
螺钉安装
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
POWER MOS 7®
零件状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
子类别
Discrete Semiconductor Modules
最大功率耗散
694 W
技术
MOSFET (Metal Oxide)
额定电流
67 A
功率耗散
694 W
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
65mOhm @ 33.5A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
7010 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
141 nC @ 10 V
上升时间
28 ns
漏源电压 (Vdss)
500 V
Vgs(最大值)
±30V
产品类别
Discrete Semiconductor Modules
连续放电电流(ID)
67 A
栅极至源极电压(Vgs)
30 V
输入电容
7.01 nF
场效应管特性
-
最大rds
65 mΩ
产品
功率MOSFET模块
辐射硬化
无
无铅
无铅
APT50M65LLLG拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
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