Microchip APT50M65LLLG

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

底架

通孔

供应商器件包装

TO-264 [L]

Manufacturer Part Number

ARNI-3087A-C07-TOSH

Manufacturer

Toshiba

Package

Tube

Base Product Number

APT50M65

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

67A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

694W (Tc)

Product Status

活跃

Turn Off Delay Time

29 ns

RoHS

Compliant

Voltage Rating (DC)

500 V

Number of Elements

1

Mounting Styles

螺钉安装

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

POWER MOS 7®

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

Discrete Semiconductor Modules

最大功率耗散

694 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

额定电流

67 A

功率耗散

694 W

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

65mOhm @ 33.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7010 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

141 nC @ 10 V

上升时间

28 ns

漏源电压 (Vdss)

500 V

Vgs（最大值）

±30V

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

连续放电电流(ID)

67 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

输入电容

7.01 nF

场效应管特性

-

最大rds

65 mΩ

产品

功率MOSFET模块

辐射硬化

无

无铅

无铅