Microchip APT50M85JVFR

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

底座安装

包装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

底架

Chassis Mount, Screw

引脚数

4

供应商器件包装

ISOTOP®

RoHS

Non-Compliant

Package

Tube

Base Product Number

APT50M85

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

50A (Tc)

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Pd - Power Dissipation

500 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

底座安装

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

Rds On - Drain-Source Resistance

85 mOhms

Id - Continuous Drain Current

50 A

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

500 V

Turn Off Delay Time

52 ns

系列

POWER MOS V®

包装

Tube

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

Discrete Semiconductor Modules

最大功率耗散

500 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

额定电流

50 A

配置

Single

通道数量

1 Channel

功率耗散

500 W

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

85mOhm @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

10800 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

535 nC @ 10 V

上升时间

17 ns

漏源电压 (Vdss)

500 V

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

连续放电电流(ID)

50 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

输入电容

10.8 nF

场效应管特性

-

最大rds

85 mΩ

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

辐射硬化

无

无铅

无铅