Microchip APT5518BFLLG

底架

通孔

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Voltage Rating (DC)

550 V

RoHS

Compliant

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT5518BFLLG

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.71

Part Package Code

TO-247AD

Drain Current-Max (ID)

31 A

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

端子表面处理

锡银铜

最大功率耗散

403 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

31 A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

漏源电压 (Vdss)

550 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

31 A

JEDEC-95代码

TO-247AD

漏极-源极导通最大电阻

0.18 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

124 A

输入电容

3.286 nF

DS 击穿电压-最小值

550 V

雪崩能量等级（Eas）

1300 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大rds

180 mΩ

无铅

无铅