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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥210.825932
10
¥198.892387
100
¥187.634328
500
¥177.013514
1000
¥166.993883
APT58M50JU2详情
Microchip APT58M50JU2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
安装类型
底座安装
包装/外壳
SOT-227-4, miniBLOC
底架
Chassis Mount, Screw
引脚数
4
供应商器件包装
SOT-227
Continuous Drain Current Id
58
Package
Bulk
Base Product Number
APT58M50
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
58A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
厂商
微芯片技术
Power Dissipation (Max)
543W (Tc)
Product Status
活跃
Unit Weight
1.836373 oz
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
Microchip
Brand
微芯片技术
RoHS
Details
Number of Elements
1
Turn Off Delay Time
155 ns
操作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
系列
POWER MOS 8™
包装
Tube
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-40 °C
子类别
Discrete Semiconductor Modules
最大功率耗散
543 W
技术
MOSFET (Metal Oxide)
功率耗散
543
接通延迟时间
60 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
65mOhm @ 42A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 2.5mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
10800 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
340 nC @ 10 V
上升时间
70 ns
漏源电压 (Vdss)
500 V
Vgs(最大值)
±30V
产品类别
Discrete Semiconductor Modules
连续放电电流(ID)
58 A
栅极至源极电压(Vgs)
30 V
输入电容
10.8 nF
信道型
N
场效应管特性
-
最大rds
65 mΩ
产品类别
Discrete Semiconductor Modules
辐射硬化
无
APT58M50JU2拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology







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