Microchip APT6013B2FLLG

包装/外壳

CSON

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Product Depth (mm)

5(mm)

Operating Temp Range

-40C to 85C

Rad Hardened

无

Turn Off Delay Time

27 ns

RoHS

Compliant

Voltage Rating (DC)

600 V

Number of Elements

1

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT6013B2FLLG

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.12

Drain Current-Max (ID)

43 A

Usage Level

Industrial grade

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

端子表面处理

锡银铜

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

565 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

43 A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

565 W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

11 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

14 ns

漏源电压 (Vdss)

600 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

43 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

漏极-源极导通最大电阻

0.13 Ω

筛选水平

INDUSTRIALC

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

172 A

输入电容

5.63 nF

DS 击穿电压-最小值

600 V

雪崩能量等级（Eas）

2500 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大rds

130 mΩ

产品长度(mm)

7(mm)

产品高度(mm)

1.4(mm)

辐射硬化

无

无铅

无铅