Microchip APT60M75JVFR

包装/外壳

Axial

底架

Chassis Mount, Screw

表面安装

NO

引脚数

4

供应商器件包装

Axial

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

600 V

RoHS

Compliant

Package Description

ISOTOP-4

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

ISOTOP

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT60M75JVFR

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.65

Part Package Code

ISOTOP

Drain Current-Max (ID)

62 A

操作温度

-65°C ~ 175°C

系列

Military, MIL-R-10509/1, RN60

包装

Bulk

尺寸/尺寸

0.145 Dia x 0.344 L (3.68mm x 8.74mm)

容差

±0.1%

无铅代码

有

零件状态

活跃

终止次数

2

温度系数

±25ppm/°C

电阻

205 kOhms

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Metal Film

功率(瓦特)

0.25W, 1/4W

附加功能

雪崩能源评级

最大功率耗散

700 W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

62 A

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PUFM-X4

资历状况

不合格

失败率

--

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

700 W

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

漏源电压 (Vdss)

600 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

62 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

漏极-源极导通最大电阻

0.075 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

248 A

输入电容

19.8 nF

DS 击穿电压-最小值

600 V

雪崩能量等级（Eas）

3600 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大rds

75 mΩ

特征

Flame Retardant Coating, Military, Moisture Resistant, Safety

座位高度(最大)

--

辐射硬化

无

无铅

无铅