Microchip APT60M75L2FLLG

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

底架

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

264 MAX™ [L2]

Manufacturer Part Number

QFA1000

Manufacturer

Siemens Building Technologies

Display

None

Package

Tube

Base Product Number

APT60M75

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

73A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

893W (Tc)

Product Status

活跃

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

600 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

3 V

Pd - Power Dissipation

893 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Unit Weight

0.352740 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Channel Mode

Enhancement

Brand

Microchip Technology / Atmel

Qg - Gate Charge

195 nC

Rds On - Drain-Source Resistance

75 mOhms

RoHS

Details

Id - Continuous Drain Current

73 A

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

600 V

Turn Off Delay Time

55 ns

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

POWER MOS 7®

包装

Tube

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

应用

Indoor

子类别

MOSFETs

最大功率耗散

893 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

额定电流

73 A

输出量

单刀双掷

配置

Single

通道数量

1 Channel

接通延迟时间

23 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

75mOhm @ 36.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

8930 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

195 nC @ 10 V

上升时间

19 ns

漏源电压 (Vdss)

600 V

Vgs（最大值）

±30V

输入

24 VAC, 24 VDC

产品类别

MOSFET

连续放电电流(ID)

73 A

温度范围

32-122 °F

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

输入电容

8.93 nF

场效应管特性

-

最大rds

75 mΩ

湿度范围

30-90% RH

产品类别

MOSFET

辐射硬化

无

无铅

无铅