Microchip APT60M75L2LLG

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

表面安装

NO

供应商器件包装

264 MAX™ [L2]

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

厂商

KYOCERA AVX

Product Status

活跃

Base Product Number

APT60M75

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

73A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

893W (Tc)

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT60M75L2LLG

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.1

Part Package Code

TO-264MA

Drain Current-Max (ID)

73 A

系列

*

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

端子表面处理

锡银铜

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

75mOhm @ 36.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

8930 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

195 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

600 V

Vgs（最大值）

±30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.075 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

292 A

DS 击穿电压-最小值

600 V

雪崩能量等级（Eas）

3200 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-