Microchip APT66F60B2

生命周期状态

Production (Last Updated: 1 month ago)

安装类型

Free Hanging (In-Line)

底架

通孔

包装/外壳

TO-247-3 Variant

表面安装

NO

越来越多的功能

-

引脚数

3

外壳材料

铝合金

供应商器件包装

T-MAX™ [B2]

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Voltage, Rating

500VAC, 700VDC

Package

Bulk

Primary Material

Metal

Base Product Number

MS3106R20

厂商

ITT Cannon, LLC

Product Status

活跃

Contact Finish Mating

Silver

Schedule B

8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

225 ns

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

70A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

1135W (Tc)

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT66F60B2

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.47

Drain Current-Max (ID)

66 A

操作温度

-55°C ~ 125°C

系列

Military, MIL-DTL-5015, MS

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

终端

焊杯

连接器类型

Plug, Female Sockets

定位的数量

11

端子表面处理

纯哑光锡

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

颜色

橄榄色

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY

紧固类型

Threaded

额定电流

22A

最大功率耗散

1.135 kW

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

方向

N (Normal)

终端形式

THROUGH-HOLE

屏蔽/屏蔽

-

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

入口保护

抗环境干扰

Reach合规守则

compliant

外壳完成

橄榄色镉

引脚数量

3

外壳尺寸-插入

20-33

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

外壳尺寸，MIL

-

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

75 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

90mOhm @ 33A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

13190 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

330 nC @ 10 V

上升时间

85 ns

漏源电压 (Vdss)

600 V

Vgs（最大值）

±30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

70 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

漏极-源极导通最大电阻

0.1 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

245 A

输入电容

13.19 nF

DS 击穿电压-最小值

600 V

雪崩能量等级（Eas）

1845 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

漏源电阻

75 mΩ

最大rds

90 mΩ

特征

Backshell, Coupling Nut

宽度

16.26 mm

高度

5.31 mm

长度

21.46 mm

触点表面处理厚度 - 配套

-

辐射硬化

无