Microchip APT7F120S

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

供应商器件包装

D3PAK

Package

Tape & Reel (TR)

Base Product Number

SG-8101

厂商

EPSON

Product Status

活跃

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

1.2 kV

Typical Turn-On Delay Time

14 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

5 V

Pd - Power Dissipation

335 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Unit Weight

0.218699 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

SMD/SMT

Forward Transconductance - Min

8 S

Channel Mode

Enhancement

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip Technology / Atmel

Qg - Gate Charge

80 nC

Rds On - Drain-Source Resistance

2.4 Ohms

Typical Turn-Off Delay Time

45 ns

Id - Continuous Drain Current

7 A

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

335W (Tc)

操作温度

-40°C ~ 105°C

系列

SG-8101

包装

Tube

尺寸/尺寸

0.276 L x 0.197 W (7.00mm x 5.00mm)

类型

XO (Standard)

子类别

MOSFETs

技术

Si

电压 - 供电

1.8V ~ 3.3V

频率

57.2727 MHz

频率稳定性

±20ppm

输出量

CMOS

功能

Standby (Power Down)

基本谐振器

Crystal

最大电流源

6.8mA (Typ)

电流 - 电源（禁用）（最大值）

1.1µA

配置

Single

通道数量

1 Channel

扩频带宽

-

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.4Ohm @ 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2565 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

80 nC @ 10 V

上升时间

8 ns

漏源电压 (Vdss)

1200 V

Vgs（最大值）

±30V

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 N-Channel

绝对牵引范围 (APR)

-

场效应管特性

-

产品类别

MOSFET

座位高度(最大)

0.055 (1.40mm)

评级结果

-