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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥572.895666
10
¥540.467606
100
¥509.875103
500
¥481.014246
1000
¥453.787021
APT8015JVR详情
Microchip APT8015JVR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
底架
Flanges
安装类型
底座安装
包装/外壳
SOT-227-4, miniBLOC
引脚数
4
供应商器件包装
ISOTOP®
Voltage, Rating
12 V
RoHS
Compliant
Package
Tube
Base Product Number
APT8015
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
44A (Tc)
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Pd - Power Dissipation
700 W
Transistor Polarity
N-Channel
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Vgs - Gate-Source Voltage
- 30 V, + 30 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Mounting Styles
底座安装
Manufacturer
Microchip
Brand
微芯片技术
Rds On - Drain-Source Resistance
150 mOhms
Id - Continuous Drain Current
44 A
Turn Off Delay Time
97 ns
Voltage Rating (DC)
800 V
Number of Elements
1
系列
POWER MOS V®
包装
Tube
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
子类别
Discrete Semiconductor Modules
最大功率耗散
700 W
技术
MOSFET (Metal Oxide)
额定电流
44 A
配置
Single
通道数量
1 Channel
功率耗散
700 W
接通延迟时间
22 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
150mOhm @ 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 5mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
17650 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
285 nC @ 10 V
上升时间
20 ns
漏源电压 (Vdss)
800 V
产品类别
Discrete Semiconductor Modules
连续放电电流(ID)
44 A
栅极至源极电压(Vgs)
30 V
镜头颜色
Yellow
输入电容
17.65 nF
场效应管特性
-
最大rds
150 mΩ
产品
功率MOSFET模块
产品类别
Discrete Semiconductor Modules
辐射硬化
无
无铅
无铅
APT8015JVR拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
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