Microchip APT8020LLLG

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

底架

通孔

供应商器件包装

TO-264 [L]

Voltage, Rating

50 V

Continuous Drain Current Id

38

Package

Tube

Base Product Number

APT8020

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

38A (Tc)

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip Technology / Atmel

RoHS

Details

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

800 V

Turn Off Delay Time

39 ns

系列

POWER MOS 7®

包装

Tube

容差

1 %

温度系数

100 ppm/°C

电阻

50.5 kΩ

最高工作温度

155 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Thin Film

子类别

MOSFETs

额定功率

100 mW

最大功率耗散

694 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

额定电流

38 A

功率耗散

694

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

200mOhm @ 19A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5200 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

195 nC @ 10 V

上升时间

14 ns

漏源电压 (Vdss)

800 V

产品类别

MOSFET

连续放电电流(ID)

38 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

输入电容

5.2 nF

信道型

N通道

场效应管特性

-

最大rds

200 mΩ

产品类别

MOSFET

高度

550 µm

辐射硬化

无

无铅

无铅