Microchip APT84F50B2

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3 Variant

底架

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

T-MAX™ [B2]

Package

Tube

Base Product Number

APT84F50

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

84A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

1135W (Tc)

Product Status

活跃

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

155 ns

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

POWER MOS 8™

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

1.135 kW

技术

MOSFET (Metal Oxide)

接通延迟时间

60 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

65mOhm @ 42A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

13500 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

340 nC @ 10 V

上升时间

70 ns

漏源电压 (Vdss)

500 V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

84 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

输入电容

13.5 nF

场效应管特性

-

最大rds

65 mΩ

辐射硬化

无