Microchip APTC90DAM60CT1G

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

底架

Chassis Mount, Screw

表面安装

NO

引脚数

1

终端数量

10

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tape & Reel (TR)

Base Product Number

SG-8101

厂商

EPSON

Product Status

活跃

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

400 ns

Package Description

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X10

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

UNSPECIFIED

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APTC90DAM60CT1G

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.72

Drain Current-Max (ID)

59 A

操作温度

-40°C ~ 85°C

系列

SG-8101

包装

Bulk

尺寸/尺寸

0.276 L x 0.197 W (7.00mm x 5.00mm)

ECCN 代码

EAR99

类型

XO (Standard)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-40 °C

附加功能

AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

462 W

电压 - 供电

1.8V ~ 3.3V

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

Reach合规守则

compliant

频率

6.004 MHz

频率稳定性

±15ppm

输出量

CMOS

引脚数量

12

JESD-30代码

R-XUFM-X10

功能

Standby (Power Down)

基本谐振器

Crystal

最大电流源

6.8mA (Typ)

资历状况

不合格

电流 - 电源（禁用）（最大值）

1.1µA

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

扩频带宽

-

接通延迟时间

70 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

20 ns

漏源电压 (Vdss)

900 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

59 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

59 A

漏极-源极导通最大电阻

0.06 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

150 A

输入电容

13.6 nF

DS 击穿电压-最小值

900 V

雪崩能量等级（Eas）

1940 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

462 W

绝对牵引范围 (APR)

-

最大rds

60 mΩ

座位高度(最大)

0.055 (1.40mm)

辐射硬化

无

评级结果

-