Microchip APTC90SKM60CT1G

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP1

底架

Chassis Mount, Screw

引脚数

1

供应商器件包装

SP1

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

59A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

462W (Tc)

Product Status

Obsolete

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

400 ns

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

系列

CoolMOS™

包装

Bulk

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-40 °C

最大功率耗散

462 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

接通延迟时间

70 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

60mOhm @ 52A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 6mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

13600 pF @ 100 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

540 nC @ 10 V

上升时间

20 ns

漏源电压 (Vdss)

900 V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

59 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

输入电容

13.6 nF

场效应管特性

-

最大rds

60 mΩ

辐射硬化

无