Microchip APTM100UM45DAG

安装类型

通孔

包装/外壳

2AG, 5mm x 15mm (Axial)

表面安装

NO

供应商器件包装

SP6

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

Lead Free Status / RoHS Status

--

Approvals

CE, CSA, cURus

Voltage Rating DC

140V

Voltage Rating AC

350V

Continuous Drain Current Id

215

Package

Bulk

Base Product Number

APTM100

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

215A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

5000W (Tc)

Product Status

活跃

Vr - Reverse Voltage

1200 V

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

螺钉安装

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

RoHS

Details

Package Description

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5

Package Style

FLANGE MOUNT

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

UNSPECIFIED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APTM100UM45DAG

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.59

Drain Current-Max (ID)

215 A

操作温度

-55°C ~ 125°C

系列

3JS

包装

Bulk

尺寸/尺寸

0.217 Dia x 0.591 L (5.50mm x 15.00mm)

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

--

ECCN 代码

EAR99

类型

Single Switch MOSFET Module

端子表面处理

锡银铜

颜色

--

附加功能

雪崩 额定

子类别

Discrete Semiconductor Modules

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

额定电流

100mA

引脚数量

5

JESD-30代码

R-XUFM-X5

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

5

回应时间

Slow

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

52mOhm @ 107.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 30mA

保险丝类型

Cartridge, Glass

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

42700 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1602 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

1000 V

Vgs（最大值）

±30V

分断能力@额定电压

100A AC, 150A DC

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

直流抗寒性

13.5 Ohms

漏极-源极导通最大电阻

0.052 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

860 A

DS 击穿电压-最小值

1000 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

3200 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

产品

功率MOSFET模块

Vf-正向电压

3 V

产品类别

Discrete Semiconductor Modules