Microchip APTM100UM65SAG

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP6

表面安装

NO

供应商器件包装

SP6

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Continuous Drain Current Id

145

Package

Bulk

Base Product Number

APTM100

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

145A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

3250W (Tc)

Product Status

活跃

Vr - Reverse Voltage

1000 V

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

1000 V

Typical Turn-On Delay Time

18 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

3 V

Pd - Power Dissipation

3250 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Unit Weight

11.106677 oz

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

螺钉安装

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip Technology / Atmel

Rds On - Drain-Source Resistance

78 mOhms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

140 ns

Id - Continuous Drain Current

145 A

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PUFM-X2

Package Style

FLANGE MOUNT

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APTM100UM65SAG

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.69

Drain Current-Max (ID)

145 A

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

包装

Tube

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

Single Switch MOSFET Module

端子表面处理

锡银铜

附加功能

雪崩 额定

子类别

Discrete Semiconductor Modules

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

JESD-30代码

R-PUFM-X2

资历状况

不合格

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

78mOhm @ 72.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 20mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

28500 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1068 nC @ 10 V

上升时间

14 ns

漏源电压 (Vdss)

1000 V

Vgs（最大值）

±30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

漏极-源极导通最大电阻

0.078 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

580 A

DS 击穿电压-最小值

1000 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

3200 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

产品

功率MOSFET模块

Vf-正向电压

2.2 V

产品类别

Discrete Semiconductor Modules