APTM10SKM05TG详情
Microchip APTM10SKM05TG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
SP4
安装类型
底座安装
表面安装
NO
供应商器件包装
SP4
房屋材料
不锈钢
终端数量
12
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
9692X-1CC-2-S1419
Approvals
CSA, UL
Manufacturer
Barksdale Control Products
Seal
有
RoHS
无
Continuous Drain Current Id
278
Package
Bulk
Base Product Number
APTM10
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
278A (Tc)
Product Status
活跃
Power Dissipation (Max)
780W (Tc)
厂商
微芯片技术
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Brand
微芯片技术
Package Description
FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12
Package Style
FLANGE MOUNT
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
UNSPECIFIED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
5.23
Drain Current-Max (ID)
278 A
操作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
包装
Tube
JESD-609代码
e1
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡银铜
附加功能
雪崩 额定
子类别
Discrete Semiconductor Modules
触点类型
单刀双掷
技术
MOSFET (Metal Oxide)
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
额定电流
11 A @ 125 VAC, 250 VAC, 5 A @ 30 VDC
引脚数量
12
JESD-30代码
R-XUFM-X12
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
5mOhm @ 125A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 5mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
20000 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
700 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
100 V
Vgs(最大值)
±30V
极性/通道类型
N-CHANNEL
产品类别
Discrete Semiconductor Modules
漏极-源极导通最大电阻
0.005 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
1100 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
信道型
N
雪崩能量等级(Eas)
3000 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
-
产品类别
Discrete Semiconductor Modules
电气连接
1/2 in NPT, 18 in Leads
APTM10SKM05TG拓展信息
Microchip Technology
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