Microchip APTM120DA30CT1G

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP1

供应商器件包装

SP1

Continuous Drain Current Id

31

Package

Bulk

Base Product Number

APTM120

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

31A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

657W (Tc)

Product Status

活跃

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

RoHS

Details

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

系列

POWER MOS 8™

包装

Tube

子类别

Discrete Semiconductor Modules

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

360mOhm @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

14560 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

560 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

1200 V

Vgs（最大值）

±30V

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

信道型

N

场效应管特性

-

产品类别

Discrete Semiconductor Modules