Microchip APTML100U60R020T1AG

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP1

表面安装

NO

供应商器件包装

SP1

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Base Product Number

APTML100

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

520W (Tc)

Product Status

活跃

Package Description

FLANGE MOUNT, R-XUFM-T6

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

UNSPECIFIED

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APTML100U60R020T1AG

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

2.33

Drain Current-Max (ID)

20 A

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

子类别

FET 通用电源

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

UPPER

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

compliant

引脚数量

12

JESD-30代码

R-XUFM-T6

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

720mOhm @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6000 pF @ 25 V

漏源电压 (Vdss)

1000 V

Vgs（最大值）

±30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

20 A

漏极-源极导通最大电阻

0.72 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

74 A

DS 击穿电压-最小值

1000 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

520 W

场效应管特性

-