Microchip JAN2N6650

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-204AA, TO-3

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-204AA (TO-3)

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Base Product Number

120086

厂商

Molex

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

10 A

Collector-Emitter Saturation Voltage

2 V

Number of Elements

1

RoHS

Non-Compliant

Brand

Microchip / Microsemi

Manufacturer

Microchip

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package Description

FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Min

-65 °C

Operating Temperature-Max

175 °C

Manufacturer Part Number

JAN2N6650

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

VPT组件

Risk Rank

5.77

系列

*

操作温度

-65°C ~ 175°C (TJ)

包装

Bulk

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

MOSFETs

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

Reach合规守则

unknown

参考标准

MIL-19500

JESD-30代码

O-MBFM-P2

极性

PNP

配置

DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

5 W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

产品类别

MOSFET

晶体管类型

PNP - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

80 V

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 5A, 3V

最大集极截止电流

1mA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-204AA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 100mA, 10A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

80 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

10 A

最小直流增益（hFE）

100

集电极-发射器电压-最大值

80 V

产品类别

MOSFET