Microchip JAN2N6770

表面安装

NO

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Non-Compliant

Package Description

FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JAN2N6770

Turn-on Time-Max (ton)

225 ns

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

300 ns

Risk Rank

5.18

Part Package Code

TO-3

Drain Current-Max (ID)

12 A

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

Qualified

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-204AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

12 A

漏极-源极导通最大电阻

0.4 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

48 A

DS 击穿电压-最小值

500 V

雪崩能量等级（Eas）

750 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

150 W

环境耗散-最大值

4 W