Microchip JAN2N6796

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Non-Compliant

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JAN2N6796

Turn-on Time-Max (ton)

105 ns

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

85 ns

Risk Rank

5.18

Part Package Code

BCY

Drain Current-Max (ID)

8 A

包装

Bulk

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

800 mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

Qualified

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

漏源电压 (Vdss)

100 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

8 A

JEDEC-95代码

TO-205AF

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8 A

漏极-源极导通最大电阻

0.18 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

32 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

25 W

最大rds

195 mΩ

环境耗散-最大值

0.8 W