JAN2N7225详情
Microchip JAN2N7225重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
表面安装
NO
引脚数
3
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer
VITRAMON
RoHS
NO
Package Description
FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
JAN2N7225
Package Shape
SQUARE
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
5.27
Part Package Code
TO-254AA
Drain Current-Max (ID)
27.4 A
包装
Bulk
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
FET 通用电源
最大功率耗散
4 W
端子位置
SINGLE
终端形式
PIN/PEG
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
参考标准
MIL-19500
JESD-30代码
S-CSFM-P3
资历状况
Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
漏源电压 (Vdss)
200 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
27.4 A
JEDEC-95代码
TO-254AA
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
27.4 A
漏极-源极导通最大电阻
0.105 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
110 A
DS 击穿电压-最小值
200 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
150 W
最大rds
105 mΩ
辐射硬化
无
JAN2N7225拓展信息
Microchip Technology
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