Microchip JANTXV2N6766T1

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Non-Compliant

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.75

Part Package Code

TO-254AA

Drain Current-Max (ID)

30 A

Manufacturer Part Number

JANTXV2N6766T1

Operating Temperature-Max

150 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Body Material

UNSPECIFIED

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Description

FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

4 W

端子位置

SINGLE

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

参考标准

MIL-19500/543

JESD-30代码

S-XSFM-P3

资历状况

Qualified

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

漏源电压 (Vdss)

200 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

30 A

JEDEC-95代码

TO-254AA

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

30 A

漏极-源极导通最大电阻

0.065 Ω

DS 击穿电压-最小值

200 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

150 W

最大rds

90 mΩ

辐射硬化

无