JANTXV2N6784详情
Microchip JANTXV2N6784重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
HERMETIC SEALED, TO-39, 3 PIN
Package Style
CYLINDRICAL
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
JANTXV2N6784
Drain Current-Max (ID)
2.25 A
Risk Rank
5.15
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Part Life Cycle Code
活跃
Number of Elements
1
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Package Shape
ROUND
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
雪崩 额定
子类别
FET 通用电源
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
参考标准
MIL-19500/556
JESD-30代码
O-MBCY-W3
资历状况
Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-205AF
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2.25 A
漏极-源极导通最大电阻
1.725 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
9 A
DS 击穿电压-最小值
200 V
雪崩能量等级(Eas)
48 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
15 W
JANTXV2N6784拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology








哦! 它是空的。