MSAFX50N20A
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Microchip MSAFX50N20A

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型号

MSAFX50N20A

品牌

Microchip

utmel 编号

1610-MSAFX50N20A

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin COOLPACK1

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MSAFX50N20A
MSAFX50N20A Microchip Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin COOLPACK1

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MSAFX50N20A详情

Microchip MSAFX50N20A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 材料

    HSS-E-PM

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    HERMETIC SEALED PACKAGE-3

  • Package Style

    CHIP CARRIER

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    MSAFX50N20A

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Microsemi Corporation

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    MICROSEMI CORP

  • Risk Rank

    5.39

  • Drain Current-Max (ID)

    50 A

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    无铅

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-XBCC-N3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.055 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    200 A

  • DS 击穿电压-最小值

    200 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 总长度

    73 mm

  • 切割长度

    16mm

0个相似型号

MSAFX50N20A拓展信息

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TP2104K1-G
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DN3535N8-G
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VN2410L-G
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DN3135K1-G
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TP5335K1-G
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2N7000-G
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DN3525N8-G
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TN5325N8-G
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